當(dāng)前位置:首頁 > 科技文檔 > 機(jī)械工業(yè) > 正文

壓電AlN MEMS的新進(jìn)展

微納電子技術(shù) 頁數(shù): 25 2024-04-15
摘要: Si基微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)經(jīng)過三十余年的發(fā)展已進(jìn)入智能微系統(tǒng)的發(fā)展階段,已成為當(dāng)今MEMS技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的主流。當(dāng)今半導(dǎo)體材料技術(shù)的科研已進(jìn)入超寬禁帶半導(dǎo)體的探索開發(fā)階段,超寬禁帶半導(dǎo)體AlN不但在功率電子學(xué)有較好的前景,而且AlN薄膜具有較好的壓電性能,與CMOS工藝相兼容,壓電AlN MEMS首先在手機(jī)應(yīng)用的射頻諧振器、濾波器方面取得突破,實(shí)現(xiàn)量產(chǎn),近年來壓電AlN M...

開通會員,享受整站包年服務(wù)立即開通 >
科技文檔