CeN薄膜表面Cr和Ti抗氧化涂層的制備與性能研究
真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào)
頁(yè)數(shù): 8 2024-04-18
摘要: 采用直流磁控濺射在單晶硅基底上制備了2μm厚的氮化鈰(CeN)薄膜,并研究了CeN在大氣環(huán)境中的氧化行為。鑒于CeN在大氣環(huán)境中容易與氧氣反應(yīng)而劣化分解這一問(wèn)題,在CeN上沉積了不同厚度的鈦(Ti)或鉻(Cr)抗氧化涂層以提高其抗氧化性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明,Ti/CeN復(fù)合薄膜在大氣環(huán)境中暴露較短時(shí)間內(nèi)就會(huì)起皮脫落;2.4μm Cr/2μm CeN復(fù)合薄膜可以有效地延長(zhǎng)CeN在大氣...