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CeN薄膜表面Cr和Ti抗氧化涂層的制備與性能研究

真空科學(xué)與技術(shù)學(xué)報(bào) 頁(yè)數(shù)： 8 2024-04-18
摘要： 采用直流磁控濺射在單晶硅基底上制備了2μm厚的氮化鈰（CeN）薄膜，并研究了CeN在大氣環(huán)境中的氧化行為。鑒于CeN在大氣環(huán)境中容易與氧氣反應(yīng)而劣化分解這一問(wèn)題，在CeN上沉積了不同厚度的鈦（Ti）或鉻（Cr）抗氧化涂層以提高其抗氧化性能。實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，Ti/CeN復(fù)合薄膜在大氣環(huán)境中暴露較短時(shí)間內(nèi)就會(huì)起皮脫落；2.4μm Cr/2μm CeN復(fù)合薄膜可以有效地延長(zhǎng)CeN在大氣...

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